原子層沉積技術(shù)

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?原子層沉積技術(shù)（Atomic Layer Deposition, ALD）是一種將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層鍍在基底表面的方法?。它通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器，并在沉積基體表面發(fā)生氣固相化學吸附反應(yīng)，從而形成沉積薄膜?。
基本原理
ALD技術(shù)的基本原理包括四個步驟：
?脈沖第一種前驅(qū)體暴露于基片表面，并進行化學吸附?。
?使用惰性載氣吹走未反應(yīng)的前驅(qū)體?。
?脈沖第二種前驅(qū)體進行化學反應(yīng)，形成所需的薄膜材料?。
?再次使用惰性載氣吹走剩余的前驅(qū)體與反應(yīng)副產(chǎn)物??。
發(fā)展歷史和應(yīng)用領(lǐng)域
ALD技術(shù)起源于20世紀60年代，最初由前蘇聯(lián)科學家研究，并在70年代由芬蘭科學家Tuomo Suntola獨立開發(fā)出多循環(huán)涂層技術(shù)并申請專l。ALD技術(shù)在90年代隨著半導體工業(yè)的發(fā)展而得到廣泛應(yīng)用。進入21世紀，隨著商品化ALD儀器的研制成功，該技術(shù)在基礎(chǔ)研究和實際應(yīng)用中受到了越來越多的關(guān)注?。
不同類型和應(yīng)用實例
ALD技術(shù)有多種變體，包括熱沉積（TALD）、等離子增強沉積（PEALD）、閃光增強沉積（FEALD）和光輔助沉積（PAALD），其中TALD和PEALD最為常見?4。在實際應(yīng)用中，ALD技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于傳感器、儲能、催化、存儲設(shè)備等多個領(lǐng)域?4。如使用三甲基鋁（TMA）和水或氧等離子體進行氧化鋁（Al2O3）的沉積，通過自限性表面反應(yīng)形成高質(zhì)量的薄膜材料?。

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